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化学气相沉积的特点
化学气相沉积工艺是,将加热的模具暴露在发生反应的混合气氛(真空度≤1Pa)中,使气体与模具表面发生反应,在模具表面上生成一层薄的固相沉积物,如金属碳化物、氮化物、硼化物等。这里有两个关键因素:
一是作为初始混合气体气相与基体固相界面的作用,也就是说,中国台湾气相沉积设备,各种初始气体之间在界面上的反应来产生沉积,或是通过气相的一个组分与基体表面之间的反应来产生沉积。
二是沉积反应必须在一定的能量条件下进行。一般情况下,产生气相沉积的化学反应必须有足够高的温度作为条件,在有些情况下,可以采用等离子体或激光辅助作为条件,气相沉积设备厂家,降低沉积反应的温度。
(1)化学气相沉积(CVD)反应温度一般在900~1200℃,中温CVD例如MOCVD(金属**化合物化学气相沉积),反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量,气相沉积设备价格,还可把反应温度降低。
“辅助”CVD的工艺较多,主要有:
① 电子辅助CVD(EACVD)(也称为电子束辅助CVD,电子增强CVD,或电子束诱导CVD),涂层的形成在电子作用下得到改进。
② 激光辅助CVD(LACVD),也称为激光CVD或光子辅助CVD,涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。
③ 热丝CVD,也称为热CVD,一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。
④ 金属**化合物CVD(MOCVD),是在一种**金属化合物气氛(这种气氛在室温时是稳定的,但在高温下分解)中进行沉积。
在真空度较高的环境下,通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料以原子、分子或离子的形式逸出沉积物粒子,并且逸出的粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。.PVD大家族里主要有三位成员:真空蒸发沉积技术(蒸镀);溅射沉积技术;离化PVD技术。
蒸镀是在真空环境下,小型气相沉积设备,以各种加热方式赋予待蒸发源材料以热量,使源材料物质获得所需的蒸汽压而实现蒸发,所发射的气相蒸发物质在具有适当温度的基片上不断沉积而形成薄膜的沉积技术。