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纳米镀膜
气相沉积设备
PCVD工艺具有广泛的用途。
(1)超硬膜的应用(TiN、TiC、TiCN、(TiAl)N、C-BN等)PCVD法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜,沉积速率可达4~10μm/h,硬度大于2000HV,绕镀性好,工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。
(2)半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用SiO2,现在用SiN4+H2用PCVD法来形成Si3N4,Si3N4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性,比SiO2强,从电性能及其掺杂效率来讲都是的,特别是当前的高速元件GaAs尽缘膜的形成,高温处理是不可能的,只能在低温下用等离子法进行沉积。
原子沉积过程可以在真空,气相沉积设备制造商,气态,等离子体或电解环境中进行。而且,沉积室中的真空环境会将沉积过程中的气态污染降低到非常低的水平。
过去的几十年展示了PVD技术的发展,旨在改善涂层特性和沉积速率,而*保留初始表面清洁以去除可能的污染物。该技术已经得到了相关的改进,气相沉积设备价格,主要是在碳化物和纳米复合过渡金属氮化物衬底上。尽管这种方法的沉积速率有效性的提高一直是与这种技术有关的工业关注的重点,但研究仍集中在改善涂层的特性上。
直流等离子体化学气相沉积(DC-PCVD)
DC-PCVD是利用高压直流负偏压(-1~-5kV),使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体,等离子体在电场作用下轰击工件,并在工件表面沉积成膜。
直流等离子体比较简单,气相沉积设备厂家,工件处于阴极电位,受其外形、大小的影响,使电场分布不均匀,气相沉积设备,在阴极四周压降,电场强度,正由于有这一特点,所以化学反应也集中在阴极工件表面,加强了沉积效率,避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积,并会造成积累放电,破坏正常的反应。